Định nghĩa của từ gallium

galliumnoun

gali

/ˈɡæliəm//ˈɡæliəm/

Nguyên tố gali, với ký hiệu Ga và số nguyên tử 31, lần đầu tiên được phát hiện vào năm 1875 bởi nhà hóa học người Pháp Paul-Emile Lecoq de Boisbaudran trong quá trình nghiên cứu thành phần hóa học của khoáng chất sphalerite (kẽm sunfua). Tên "gallium" cho nguyên tố mới được đề xuất bởi nhà hóa học người Pháp Alexander Dmitri racovtzaev, người đề xuất đặt tên cho nguyên tố này theo tên Gaul, tên La Mã cổ đại của nước Pháp ngày nay, để ghi nhận những đóng góp to lớn của các nhà khoa học Pháp cho lĩnh vực hóa học. Phát hiện ra gali đã giúp mở rộng bảng tuần hoàn và giúp chúng ta hiểu sâu hơn về các tính chất và hành vi của các nguyên tố ở hàng thứ ba của bảng tuần hoàn.

Tóm Tắt

type danh từ

meaning(hoá học) Gali

namespace
Ví dụ:
  • Gallium is a metal that melts at extremely low temperatures, making it a popular choice for creating unique sculptures and art installations.

    Gali là một kim loại nóng chảy ở nhiệt độ cực thấp, khiến nó trở thành lựa chọn phổ biến để tạo ra các tác phẩm điêu khắc và nghệ thuật sắp đặt độc đáo.

  • Due to its high conductivity, gallium is frequently used in the semiconductor industry to create thermoelectric devices and solar panels.

    Do có độ dẫn điện cao nên gali thường được sử dụng trong ngành công nghiệp bán dẫn để tạo ra các thiết bị nhiệt điện và tấm pin mặt trời.

  • Gallium nitride (GaNis a compound semiconductor that is gaining popularity due to its high electronic mobility and efficiency in electronics applications such as lighting and power electronics.

    Gallium nitride (GaNi) là một hợp chất bán dẫn đang ngày càng phổ biến do tính di động điện tử cao và hiệu quả trong các ứng dụng điện tử như chiếu sáng và điện tử công suất.

  • Gallium arsenide (GaAsis a compound semiconductor that has been used in communication devices and optoelectronics due to its high electron mobility and light absorption properties.

    Gallium arsenide (GaA) là một hợp chất bán dẫn được sử dụng trong các thiết bị truyền thông và quang điện tử do có tính di động electron cao và đặc tính hấp thụ ánh sáng.

  • Gallium nitride (GaNhas also shown potential in developing energy-efficient lighting solutions in response to growing concerns about traditional LEDs' high energy consumption.

    Gallium nitride (GaN) cũng cho thấy tiềm năng trong việc phát triển các giải pháp chiếu sáng tiết kiệm năng lượng nhằm giải quyết mối lo ngại ngày càng tăng về mức tiêu thụ năng lượng cao của đèn LED truyền thống.

  • Gallium arsenide phosphide (GaAsPis a compound semiconductor used for infrared imaging due to its high sensitivity and low noise performance.

    Gallium arsenide phosphide (GaAsPis) là một hợp chất bán dẫn được sử dụng để chụp ảnh hồng ngoại do có độ nhạy cao và hiệu suất nhiễu thấp.

  • Gallium indium nitride (GaInNis a compound semiconductor that has been investigated as a platform for developing next-generation green LEDs due to its broader spectrum of light emission.

    Gallium indium nitride (GaInNi) là một hợp chất bán dẫn đã được nghiên cứu như một nền tảng để phát triển đèn LED xanh thế hệ tiếp theo do có phổ phát xạ ánh sáng rộng hơn.

  • Gallium, indium, phosphide (GIPis a compound semiconductor commonly used in optical communications due to its high power handling capacity for short-wavelength light.

    Gali, indi, photphua (GIP) là hợp chất bán dẫn thường được sử dụng trong truyền thông quang học do có khả năng xử lý công suất cao đối với ánh sáng bước sóng ngắn.

  • Gallium oxide (Ga2O3is a promising optical material due to its higher electronic mobility and transparency compared to traditional glass materials.

    Gali oxit (Ga2O3) là một vật liệu quang học đầy hứa hẹn do có tính di động điện tử và độ trong suốt cao hơn so với vật liệu thủy tinh truyền thống.

  • Gallium bismutide (GaBiis a compound semiconductor that has been investigated for its superconducting properties due to its low carrier density and high critical magnetic field.

    Gali bismutide (GaBi) là một hợp chất bán dẫn đã được nghiên cứu về tính chất siêu dẫn do mật độ hạt tải điện thấp và từ trường tới hạn cao.