Definition of gallium

galliumnoun

gali

/ˈɡæliəm//ˈɡæliəm/

The element gallium, with the symbol Ga and atomic number 31, was first discovered in 1875 by French chemist Paul-Emile Lecoq de Boisbaudran during his investigation of the chemical composition of the mineral sphalerite (zinc sulfide). The name "gallium" for the new element was proposed by French chemist Alexander Dmitri racovtzaev, who suggested it be named after Gaul, the ancient Roman name for present-day France, in recognition of the major contributions made by French scientists to the field of chemistry. Gallium's discovery helped to expand the periodic table and deepen our understanding of the properties and behavior of elements in the third row of the periodic table.

Summary
type danh từ
meaning(hoá học) Gali
namespace
Example:
  • Gallium is a metal that melts at extremely low temperatures, making it a popular choice for creating unique sculptures and art installations.

    Gali là một kim loại nóng chảy ở nhiệt độ cực thấp, khiến nó trở thành lựa chọn phổ biến để tạo ra các tác phẩm điêu khắc và nghệ thuật sắp đặt độc đáo.

  • Due to its high conductivity, gallium is frequently used in the semiconductor industry to create thermoelectric devices and solar panels.

    Do có độ dẫn điện cao nên gali thường được sử dụng trong ngành công nghiệp bán dẫn để tạo ra các thiết bị nhiệt điện và tấm pin mặt trời.

  • Gallium nitride (GaNis a compound semiconductor that is gaining popularity due to its high electronic mobility and efficiency in electronics applications such as lighting and power electronics.

    Gallium nitride (GaNi) là một hợp chất bán dẫn đang ngày càng phổ biến do tính di động điện tử cao và hiệu quả trong các ứng dụng điện tử như chiếu sáng và điện tử công suất.

  • Gallium arsenide (GaAsis a compound semiconductor that has been used in communication devices and optoelectronics due to its high electron mobility and light absorption properties.

    Gallium arsenide (GaA) là một hợp chất bán dẫn được sử dụng trong các thiết bị truyền thông và quang điện tử do có tính di động electron cao và đặc tính hấp thụ ánh sáng.

  • Gallium nitride (GaNhas also shown potential in developing energy-efficient lighting solutions in response to growing concerns about traditional LEDs' high energy consumption.

    Gallium nitride (GaN) cũng cho thấy tiềm năng trong việc phát triển các giải pháp chiếu sáng tiết kiệm năng lượng nhằm giải quyết mối lo ngại ngày càng tăng về mức tiêu thụ năng lượng cao của đèn LED truyền thống.

  • Gallium arsenide phosphide (GaAsPis a compound semiconductor used for infrared imaging due to its high sensitivity and low noise performance.

    Gallium arsenide phosphide (GaAsPis) là một hợp chất bán dẫn được sử dụng để chụp ảnh hồng ngoại do có độ nhạy cao và hiệu suất nhiễu thấp.

  • Gallium indium nitride (GaInNis a compound semiconductor that has been investigated as a platform for developing next-generation green LEDs due to its broader spectrum of light emission.

    Gallium indium nitride (GaInNi) là một hợp chất bán dẫn đã được nghiên cứu như một nền tảng để phát triển đèn LED xanh thế hệ tiếp theo do có phổ phát xạ ánh sáng rộng hơn.

  • Gallium, indium, phosphide (GIPis a compound semiconductor commonly used in optical communications due to its high power handling capacity for short-wavelength light.

    Gali, indi, photphua (GIP) là hợp chất bán dẫn thường được sử dụng trong truyền thông quang học do có khả năng xử lý công suất cao đối với ánh sáng bước sóng ngắn.

  • Gallium oxide (Ga2O3is a promising optical material due to its higher electronic mobility and transparency compared to traditional glass materials.

    Gali oxit (Ga2O3) là một vật liệu quang học đầy hứa hẹn do có tính di động điện tử và độ trong suốt cao hơn so với vật liệu thủy tinh truyền thống.

  • Gallium bismutide (GaBiis a compound semiconductor that has been investigated for its superconducting properties due to its low carrier density and high critical magnetic field.

    Gali bismutide (GaBi) là một hợp chất bán dẫn đã được nghiên cứu về tính chất siêu dẫn do mật độ hạt tải điện thấp và từ trường tới hạn cao.